Номер детали производителя : | W66BL6NBUAFJ TR |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Winbond Electronics Corporation |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | W66BL6NBUAFJ TR(1).pdfW66BL6NBUAFJ TR(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | W66BL6NBUAFJ TR |
---|---|
производитель | Winbond Electronics Corporation |
Описание | IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | W66BL6NBUAFJ TR(1).pdfW66BL6NBUAFJ TR(2).pdf |
Время цикла записи - слово, страница | 18ns |
Напряжение тока - поставка | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V |
Технологии | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Поставщик Упаковка устройства | 200-WFBGA (10x14.5) |
Серии | - |
Упаковка / | 200-WFBGA |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -40°C ~ 105°C (TC) |
Тип установки | Surface Mount |
Тип памяти | Volatile |
Размер памяти | 2Gbit |
Организация памяти | 128M x 16 |
Интерфейс памяти | LVSTL_11 |
Формат памяти | DRAM |
Тактовая частота | 1.6 GHz |
Базовый номер продукта | W66BL6 |
Время доступа | 3.5 ns |
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
DIODE GEN PURP 1.9KV 6672A -
DIODE GEN PURP 1.75KV 6672A -
DIODE GEN PURP 1.75KV 6672A -
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
DIODE GEN PURP 1.9KV 6672A -
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA